BDW64D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW64D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW64D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW64D даташит

 ..1. Size:219K  inchange semiconductor
 bdw64 bdw64a bdw64b bdw64c bdw64d.pdf pdf_icon

BDW64D

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -I = -6A C High DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = -2A FE C Complement to Type BDW63/A/B/C/D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:251K  inchange semiconductor
 bdw64 a b c d.pdf pdf_icon

BDW64D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMET

Другие транзисторы: BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW64, BDW64A, BDW64B, BDW64C, 8050, BDW73, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW74, BDW74A, BDW74B