Справочник транзисторов. BDW73B

 

Биполярный транзистор BDW73B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDW73B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW73B

 

 

BDW73B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
bdw73 bdw73a bdw73b bdw73c bdw73d.pdf

BDW73B BDW73B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 3AFE CComplement to Type BDW74/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:253K  inchange semiconductor
bdw73 a b c d.pdf

BDW73B BDW73B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW73/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 3A Complement to Type BDW74/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top