BDW83 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW83

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BDW83

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW83 даташит

 ..1. Size:67K  st
 bdw83 bdw84.pdf pdf_icon

BDW83

BDW83C BDW84C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 2 EQUIPMENT 1 DESCRIPTION TO-218 The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPN power monolithic Darlington transis

 ..2. Size:222K  inchange semiconductor
 bdw83 bdw83a bdw83b bdw83c.pdf pdf_icon

BDW83

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = 15A C High DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6A FE C Complement to Type BDW84/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 ..3. Size:123K  inchange semiconductor
 bdw83 83a 83b 83c 83d.pdf pdf_icon

BDW83

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDW83/83A/83B/83C/83D DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified ou

 0.1. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw83c.pdf pdf_icon

BDW83

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83C DESCRIPTION Collector Current -I = 15A C High DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6A FE C Complement to Type BDW84C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, C3198, BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D, BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C