Справочник транзисторов. BDW83

 

Биполярный транзистор BDW83 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW83
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для BDW83

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW83 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  st
 bdw83 bdw84.pdf pdf_icon

BDW83

BDW83CBDW84CCOMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONTRANSISTORS BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERREDSALESTYPE COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL2EQUIPMENT1DESCRIPTION TO-218The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPNpower monolithic Darlington transis

 ..2. Size:222K  inchange semiconductor
 bdw83 bdw83a bdw83b bdw83c.pdf pdf_icon

BDW83

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 15ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6AFE CComplement to Type BDW84/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

 ..3. Size:123K  inchange semiconductor
 bdw83 83a 83b 83c 83d.pdf pdf_icon

BDW83

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDW83/83A/83B/83C/83D DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified ou

 0.1. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw83c.pdf pdf_icon

BDW83

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW83CDESCRIPTIONCollector Current -I = 15ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 6AFE CComplement to Type BDW84CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BDW73B , BDW73C , BDW73D , BDW74 , BDW74A , BDW74B , BDW74C , BDW74D , 13005 , BDW83A , BDW83B , BDW83C , BDW83D , BDW84 , BDW84A , BDW84B , BDW84C .

 

 
Back to Top

 


 
.