BDW84D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW84D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BDW84D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW84D даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw84d.pdf pdf_icon

BDW84D

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW84D DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C High DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = -6A FE C Complement to Type BDW83D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 9.1. Size:67K  st
 bdw83 bdw84.pdf pdf_icon

BDW84D

BDW83C BDW84C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH DC CURRENT GAIN APPLICATIONS 3 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 2 EQUIPMENT 1 DESCRIPTION TO-218 The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPN power monolithic Darlington transis

 9.2. Size:123K  inchange semiconductor
 bdw84 84a 84b 84c 84d.pdf pdf_icon

BDW84D

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BDW84/84A/84B/84C/84D DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDW83/83A/83B/83C/83D DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified ou

 9.3. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw84c.pdf pdf_icon

BDW84D

isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW84C DESCRIPTION Collector Current -I = -15A C High DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = -6A FE C Complement to Type BDW83C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDW83A, BDW83B, BDW83C, BDW83D, BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C, 2N4401, BDW91, BDW92, BDW93, BDW93A, BDW93AFI, BDW93B, BDW93BFI, BDW93C