BDX11-5 - описание и поиск аналогов

 

BDX11-5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX11-5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX11-5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX11-5 даташит

 9.1. Size:12K  semelab
 bdx11.pdf pdf_icon

BDX11-5

BDX11 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 140V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 10A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

 9.2. Size:178K  inchange semiconductor
 bdx11.pdf pdf_icon

BDX11-5

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDX11 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V (Min) (BR)CEO High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applica

Другие транзисторы: BDX10-4, BDX10-5, BDX10-6, BDX10-7, BDX10C, BDX10H, BDX11, BDX11-4, BD136, BDX11-6, BDX11-7, BDX12, BDX13, BDX13-4, BDX13-5, BDX13-6, BDX13-7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.