Биполярный транзистор BDX12 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX12
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
BDX12 Datasheet (PDF)
..1. Size:180K inchange semiconductor
bdx12.pdf
bdx12.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX12DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for application in industrial and comm
Другие транзисторы... BDX10-7 , BDX10C , BDX10H , BDX11 , BDX11-4 , BDX11-5 , BDX11-6 , BDX11-7 , KT805AM , BDX13 , BDX13-4 , BDX13-5 , BDX13-6 , BDX13-7 , BDX14 , BDX15 , BDX16 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050