Справочник транзисторов. BDX12

 

Биполярный транзистор BDX12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDX12

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdx12.pdf pdf_icon

BDX12

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDX12DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for application in industrial and comm

Другие транзисторы... BDX10-7 , BDX10C , BDX10H , BDX11 , BDX11-4 , BDX11-5 , BDX11-6 , BDX11-7 , 2N2907 , BDX13 , BDX13-4 , BDX13-5 , BDX13-6 , BDX13-7 , BDX14 , BDX15 , BDX16 .

History: 2N829 | RT5N333C | 3DD4804 | 2N636A | 2SD1411O

 

 
Back to Top

 


 
.