BDX12 - описание и поиск аналогов

 

BDX12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX12

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX12 даташит

 ..1. Size:180K  inchange semiconductor
 bdx12.pdf pdf_icon

BDX12

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDX12 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V (Min) (BR)CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for application in industrial and comm

Другие транзисторы: BDX10-7, BDX10C, BDX10H, BDX11, BDX11-4, BDX11-5, BDX11-6, BDX11-7, A42, BDX13, BDX13-4, BDX13-5, BDX13-6, BDX13-7, BDX14, BDX15, BDX16

 

 

 

 

↑ Back to Top
.