Биполярный транзистор 2N1016D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1016D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: MT38-2

Другие транзисторы... 2N1015C , 2N1015D , 2N1015E , 2N1015F , 2N1016 , 2N1016A , 2N1016B , 2N1016C , 2SB817 , 2N1016E , 2N1016F , 2N1017 , 2N1018 , 2N1019 , 2N102 , 2N1020 , 2N1021 .