BDX13-6 - описание и поиск аналогов

 

BDX13-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX13-6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX13-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX13-6 даташит

 9.1. Size:195K  inchange semiconductor
 bdx13.pdf pdf_icon

BDX13-6

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BDX13 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h =15-60@I = 8A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 4A CE(sat C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switching

Другие транзисторы: BDX11-4, BDX11-5, BDX11-6, BDX11-7, BDX12, BDX13, BDX13-4, BDX13-5, BD222, BDX13-7, BDX14, BDX15, BDX16, BDX18, BDX18N, BDX20, BDX22

 

 

 

 

↑ Back to Top
.