BDX24-4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX24-4  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX24-4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX24-4 даташит

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdx24.pdf pdf_icon

BDX24-4

isc Silicon NPN Power Transistor BDX24 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V (Min) (BR)CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications ABSO

Другие транзисторы: BDX22-6, BDX22-7, BDX23, BDX23-4, BDX23-5, BDX23-6, BDX23-7, BDX24, A1015, BDX24-5, BDX24-6, BDX24-7, BDX25, BDX25-10, BDX25-4, BDX25-6, BDX26