BDX36 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX36  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX36

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX36 даташит

 ..1. Size:53K  philips
 bdx35 bdx36 bdx37 cnv 2.pdf pdf_icon

BDX36

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BDX35; BDX36; BDX37 NPN switching transistors 1997 Apr 16 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors BDX35; BDX36; BDX37 FEATURES PINNING High current (max. 5 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
 bdx36.pdf pdf_icon

BDX36

isc Silicon NPN Power Transistor BDX36 DESCRIPTION High Current Capability-I = 5A(DC) C DC Current Gain h = 45-450(Min) @ I = 0.5 A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High-current switching in power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы: BDX33E, BDX34, BDX34A, BDX34B, BDX34C, BDX34D, BDX34E, BDX35, 9014, BDX37, BDX40, BDX40-4, BDX40-5, BDX40-6, BDX40-7, BDX41, BDX41-4