BDX53BFI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDX53BFI  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BDX53BFI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX53BFI даташит

 7.1. Size:86K  st
 bdx53bfp.pdf pdf_icon

BDX53BFI

BDX53BFP SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING 3 DESCRIPTION 2 1 The BDX53BFP is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington T0-220FP configuration mounted in T0-220FP fully molded isolated pa

 8.1. Size:169K  motorola
 bdx53b bdx54.pdf pdf_icon

BDX53BFI

Order this document MOTOROLA by BDX53B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Plastic Medium-Power BDX53B Complementary Silicon Transistors BDX53C PNP . . . designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. BDX54B High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mAdc BDX54C VCEO(sus) = 80

 8.2. Size:73K  st
 bdx53b bdx53c bdx54b bdx54c.pdf pdf_icon

BDX53BFI

BDX53B - BDX53C BDX54B - BDX54C Complementary power Darlington transistors Features Good hFE linearity High fT frequency Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Application 3 2 1 Audio amplifiers TO-220 Linear and switching industrial equipment Description The devices are manufactured in planar base island t

 8.3. Size:148K  onsemi
 bdx53bg.pdf pdf_icon

BDX53BFI

BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP) Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors http //onsemi.com These devices are designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. DARLINGTON Features 8 AMPERE High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc POWER TRANSISTORS Collector Emitter Sustaining Voltage -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BDX50-5, BDX50-6, BDX50-7, BDX51, BDX53, BDX53A, BDX53AFI, BDX53B, MPSA42, BDX53C, BDX53CFI, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX53H, BDX53S, BDX54