BDX61-6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BDX61-6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDX61-6
BDX61-6 Datasheet (PDF)
bdx61.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDX61DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio, disk head positionersand other linear applications.ABSOLU
Другие транзисторы... BDX60 , BDX60-4 , BDX60-5 , BDX60-6 , BDX60-7 , BDX61 , BDX61-4 , BDX61-5 , BC337 , BDX61-7 , BDX62 , BDX62A , BDX62B , BDX62C , BDX62L , BDX63 , BDX63A .
History: SL5304I | 2SA1279 | 2SA1431O | 2N1729 | 3CG1162 | 2SD2318 | HBNP45S6R
History: SL5304I | 2SA1279 | 2SA1431O | 2N1729 | 3CG1162 | 2SD2318 | HBNP45S6R



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a