BDX62B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDX62B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для BDX62B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDX62B даташит
bdx62 bdx62a bdx62b bdx62c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX62/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -8A C High DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = -3A FE C Complement to Type BDX63/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RAT
bdx62.pdf
PNP SILICON DARLINGTONS PNP SILICON DARLINGTONS General purpose darlingtons designed for power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDX62 -60 BDX62A -80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDX62B -100 BDX62C -120 BDX62 -60 BDX62A -80 VCEV Collector-EmitterVoltage VBE=-1.5 V V BDX62B -100 BDX62C -120 BDX62 BDX62A
bdx62 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX62/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= -3A Complement to Type BDX63/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER V
Другие транзисторы: BDX60-7, BDX61, BDX61-4, BDX61-5, BDX61-6, BDX61-7, BDX62, BDX62A, BD140, BDX62C, BDX62L, BDX63, BDX63A, BDX63B, BDX63C, BDX63L, BDX64
History: BD950 | BSR41 | 2SD1163 | 2N5239 | ZDT45
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet

