Справочник транзисторов. BDX63

 

Биполярный транзистор BDX63 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX63
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDX63 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx63 bdx63a bdx63b bdx63c.pdf pdf_icon

BDX63

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3AFE CComplement to Type BDX62/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 ..2. Size:130K  inchange semiconductor
 bdx63 a b c.pdf pdf_icon

BDX63

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDX62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1829 | DTL3512 | 2N585 | ZT110 | KSB795 | 2SC637 | RT2N15M

 

 
Back to Top

 


 
.