Справочник транзисторов. BDX63A

 

Биполярный транзистор BDX63A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDX63A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDX63A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX63A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx63 bdx63a bdx63b bdx63c.pdf pdf_icon

BDX63A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3AFE CComplement to Type BDX62/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.1. Size:130K  inchange semiconductor
 bdx63 a b c.pdf pdf_icon

BDX63A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDX62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: PBRP113ET

 

 
Back to Top

 


 
.