Биполярный транзистор BDX87 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDX87
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO3
BDX87 Datasheet (PDF)
bdx87 bdw88.pdf
BDX87CBDX88CCOMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTION The BDX87C is a silicon epitaxial-base NPNpower transistors in monolithic Darlingtonconfiguration and are mounted in Jedec TO-3metal case. They are intented for use in powerlinear and switching applications.1The complementary PNP types is the BDX88C.2TO-3INTERN
bdx87 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX87/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 6A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX87; 60V(Min)- BDX87A 80V(Min)- BDX87B; 100V(Min)- BDX87C Complement to Type BDX88/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s
bdx87 bdx87a bdx87b bdx87c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX87/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 750(Min)@ I = 6AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX87; 60V(Min)- BDX87ACEO(SUS)80V(Min)- BDX87B; 100V(Min)- BDX87CComplement to Type BDX88/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign
bdx87c.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX87CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 750(Min)@ I = 6AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BDX88CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power linear and switching applic
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050