BDX88C - описание и поиск аналогов

 

BDX88C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX88C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX88C

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX88C даташит

 ..1. Size:117K  inchange semiconductor
 bdx88c.pdf pdf_icon

BDX88C

 ..2. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx88 bdx88a bdx88b bdx88c.pdf pdf_icon

BDX88C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX88/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = -6A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -45V(Min)- BDX88; -60V(Min)- BDX88A CEO(SUS) -80V(Min)- BDX88B; -100V(Min)- BDX88C Complement to Type BDX87/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS D

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
 bdx88 a b c.pdf pdf_icon

BDX88C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX88/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= -6A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX88; -60V(Min)- BDX88A -80V(Min)- BDX88B; -100V(Min)- BDX88C Complement to Type BDX87/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear

Другие транзисторы... BDX86C , BDX87 , BDX87A , BDX87B , BDX87C , BDX88 , BDX88A , BDX88B , TIP32C , BDX91 , BDX92 , BDX93 , BDX94 , BDX95 , BDX96 , BDY10 , BDY11 .

History: BDY28 | BDY12C | BDX68

 

 

 


 
↑ Back to Top
.