Справочник транзисторов. BDY13-10

 

Биполярный транзистор BDY13-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDY13-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для BDY13-10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY13-10 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy13-6.pdf pdf_icon

BDY13-10

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1V(Max)@ I = 3ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы... BDY12 , BDY12-10 , BDY12-16 , BDY12-6 , BDY12B , BDY12C , BDY12D , BDY13 , AC125 , BDY13-16 , BDY13-6 , BDY13B , BDY13C , BDY13D , BDY15 , BDY15A , BDY15B .

 

 
Back to Top

 


 
.