Справочник транзисторов. BDY13-10

 

Биполярный транзистор BDY13-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDY13-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDY13-10 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:207K  inchange semiconductor
bdy13-6.pdfpdf_icon

BDY13-10

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1V(Max)@ I = 3ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: T1832 | BC54-16-PAS | BDY60 | BSX79 | RT3065 | 3DD3145_A6 | 2SD1231

 

 
Back to Top

 


 
.