BDY13-10 - описание и поиск аналогов

 

BDY13-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY13-10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDY13-10

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY13-10 даташит

 8.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy13-6.pdf pdf_icon

BDY13-10

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1V(Max)@ I = 3A CE(sat C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for LF signal powe amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы... BDY12 , BDY12-10 , BDY12-16 , BDY12-6 , BDY12B , BDY12C , BDY12D , BDY13 , 2N5551 , BDY13-16 , BDY13-6 , BDY13B , BDY13C , BDY13D , BDY15 , BDY15A , BDY15B .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.