BDY58 - описание и поиск аналогов

 

BDY58. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY58

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDY58

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY58 даташит

 ..1. Size:153K  comset
 bdy57 bdy58.pdf pdf_icon

BDY58

BDY57 BDY58 NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit BDY57 80 VCEO Collector-Emitter Voltage V BDY58 125 BDY57 120 VCBO Collector-Base Voltage V BDY58 160 BDY57 VEBO Emitter-Base Voltage 10 V BDY58 BDY57 IC Collector Current

 ..2. Size:164K  cn sptech
 bdy58.pdf pdf_icon

BDY58

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BDY58 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage APPLICATIONS LF signal power amplification. High current fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector- Base Voltage 160 V C

 ..3. Size:207K  inchange semiconductor
 bdy58.pdf pdf_icon

BDY58

isc Silicon NPN Power Transistor BDY58 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 125V(Min) CEO(SUS) High Power Dissipation Low Collector Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS LF signal power amplification. High current fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PA

 ..4. Size:117K  inchange semiconductor
 bdy57 bdy58.pdf pdf_icon

BDY58

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BDY57 BDY58 DESCRIPTION With TO-3 package High current capability Fast switching speed APPLICATIONS For use in low frequency large signal power amplifications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum rati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BDY48-400 , BDY49 , BDY53 , BDY54 , BDY55 , BDY56 , BDY57 , BDY57A , BC639 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , BDY61 , BDY62 , BDY63 , BDY64 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.