BF324 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF324  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): O.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для BF324

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF324 даташит

 ..1. Size:48K  philips
 bf324.pdf pdf_icon

BF324

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BF324 PNP medium frequency transistor 1997 Jul 07 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP medium frequency transistor BF324 FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V). 1

Другие транзисторы: BF322-2, BF322-3, BF322-4, BF323, BF323-1, BF323-2, BF323-3, BF323-4, 8050, BF325, BF329, BF330, BF332, BF332B, BF333, BF333C, BF333D