Биполярный транзистор BF419 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF419
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO126
BF419 Datasheet (PDF)
..1. Size:50K philips
bf419.pdf
bf419.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D100BF419NPN high-voltage transistor1997 Apr 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistor BF419FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V).1 emitt
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050