BF419 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF419  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для BF419

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF419 даташит

 ..1. Size:50K  philips
 bf419.pdf pdf_icon

BF419

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D100 BF419 NPN high-voltage transistor 1997 Apr 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF419 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 250 V). 1 emitt

Другие транзисторы: BF413, BF414, BF415, BF416, BF417, BF417G, BF418, BF418G, 2SC2240, BF420, BF420A, BF420L, BF420P, BF420P3, BF420S, BF421, BF421A