BF439 - описание и поиск аналогов

 

BF439 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF439
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для BF439

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF439 - технические параметры

 0.1. Size:139K  motorola
mmbf4391lt1 mmbf4392lt1 mmbf4393lt1.pdfpdf_icon

BF439

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBF4391LT1/D MMBF4391LT1 JFET Switching Transistors MMBF4392LT1 N Channel 2 SOURCE MMBF4393LT1 3 GATE 3 1 DRAIN 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDS 30 Vdc CASE 318 08, STYLE 10 Drain Gate Voltage VDG 30 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Gate Source Voltage VGS 30 Vdc Forward

 0.2. Size:304K  philips
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv.pdfpdf_icon

BF439

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4391; PMBF4392; PMBF4393 N-channel FETs Product specification April 1995 NXP Semiconductors Product specification PMBF4391; N-channel FETs PMBF4392; PMBF4393 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended for application in thick and thin-film c

 0.3. Size:36K  philips
pmbf4391 pmbf4392 pmbf4393 cnv 2.pdfpdf_icon

BF439

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBF4391; PMBF4392; PMBF4393 N-channel FETs April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification PMBF4391; N-channel FETs PMBF4392; PMBF4393 DESCRIPTION Symmetrical silicon n-channel depletion type junction field-effect transistors on a plastic microminiature envelope intended f

 0.4. Size:708K  fairchild semi
pn4391 pn4392 pn4393 mmbf4391 mmbf4392 mmbf4393.pdfpdf_icon

BF439

PN4391 MMBF4391 PN4392 MMBF4392 PN4393 MMBF4393 G S G TO-92 S SOT-23 D D Mark 6J / 6K / 6G NOTE Source & Drain are interchangeable N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted

Другие транзисторы... BF431 , BF431L , BF432 , BF432L , BF433 , BF435 , BF436 , BF437 , 2SA1943 , BF440 , BF441 , BF450 , BF451 , BF454 , BF454B , BF455 , BF455C .

 

 
Back to Top

 


 
.