Биполярный транзистор BF493L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF493L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO92
BF493L Datasheet (PDF)
bf493srev0d.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF493S/DHigh Voltage TransistorBF493SPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 350 VdcCollectorBase Voltage VCBO 350 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current
pbf493rs.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493RS/DHigh Voltage TransistorsPNP SiliconPBF493RSCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Cu
pbf493re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PBF493/DHigh Voltage TransistorsPNP Silicon PBF493PBF493SCOLLECTOR32BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol Value UnitCASE 2904, STYLE 1CollectorEmitter Voltage VCEO 300 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 300 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector
bf493sre.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF493S/DHigh Voltage TransistorBF493SPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 350 VdcCollectorBase Voltage VCBO 350 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current
bf493s-d.pdf
BF493SHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures This is a Pb-Free Device*http://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -350 Vdc2BASECollector-Base Voltage VCBO -350 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -6.0 Vdc1Collector Current - Continuous IC -500 mAdcEMITTERTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mWDera
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050