Биполярный транзистор BF509T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BF509T
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
Корпус транзистора: TO92
BF509T Datasheet (PDF)
NO PDF!
Другие транзисторы... BF502S , BF503 , BF505 , BF506 , BF506A , BF507 , BF509 , BF509S , A1015 , BF516 , BF517 , BF523 , BF536 , BF540 , BF541 , BF542 , BF550 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
