BF593 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF593  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF593

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF593 даташит

 ..1. Size:49K  philips
 bf591 bf593.pdf pdf_icon

BF593

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF591; BF593 NPN high-voltage transistors 1997 Jul 02 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF591; BF593 FEATURES PINNING Low current (max. 150 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 210 V). 1 emitt

Другие транзисторы: BF569R, BF570, BF579, BF579R, BF583, BF585, BF587, BF591, 2SC1815, BF594, BF595, BF595S, BF596, BF597, BF597A, BF597B, BF599