BF659 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF659  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO39

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF659

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF659 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BF642W3, BF643, BF643P, BF643P2, BF643W, BF643W3, BF657, BF658, 2SC828, BF660, BF660R, BF660W, BF666, BF667, BF668, BF679, BF679M