Справочник транзисторов. BF660R

 

Биполярный транзистор BF660R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF660R
   Маркировка: G81
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.11 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BF660R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:39K  siemens
 bf660.pdf pdf_icon

BF660R

PNP Silicon RF Transistor BF 660 For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BF 660 LEs Q62702-F982 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 30 VCollector-base voltage VCB0 40Emitter-base voltage VEB0 4Collector current IC 25 mAEmitter current IE 30Total power dissi

 9.2. Size:59K  siemens
 bf660w.pdf pdf_icon

BF660R

BF 660WPNP Silicon RF Transistor For VHF oscillator applicationsType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBF 660W LEs Q62702-F1568 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 30 VCollector-base voltage VCBO 40Emitter-base voltage VEBO 4Collector current IC 25 mABase current IB 5Total power dissipation Pt

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CSA968B | 2SD1353V | BF397 | 2N1377 | 2SA1338-7 | 2N1223

 

 
Back to Top

 


 
.