BF666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF666  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF666 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BF643W, BF643W3, BF657, BF658, BF659, BF660, BF660R, BF660W, MJE350, BF667, BF668, BF679, BF679M, BF679S, BF679T, BF680, BF680A