BF763 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF763  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1800 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF763

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF763 даташит

 ..1. Size:26K  philips
 bf763.pdf pdf_icon

BF763

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF763 NPN 2 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz wideband transistor BF763 DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a plastic SOT54 PIN DESCRIPTION (TO-92 variant) envelope. Code F763 1 2 It is primarily intended for use in RF

Другие транзисторы: BF760BA, BF760EA, BF761, BF761BA, BF761EA, BF762, BF762BA, BF762EA, A1013, BF767, BF770, BF770A, BF775, BF779, BF780, BF787, BF788