BF779 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF779  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO51

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF779

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF779 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BF762, BF762BA, BF762EA, BF763, BF767, BF770, BF770A, BF775, 13005, BF780, BF787, BF788, BF789, BF790, BF791, BF792, BF799