Биполярный транзистор BF820S Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BF820S
Маркировка: 1V
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.335 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для BF820S
BF820S Datasheet (PDF)
bf820w.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETgeM3D102BF820WNPN high-voltage transistorProduct data sheet 2003 Sep 09Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistor BF820WFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony and profess
bf820w bf822w.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF820W; BF822WNPN high-voltage transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 19File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF820W; BF822WFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitt
bf820 bf822 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BF820; BF822NPN high-voltage transistors1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF820; BF822FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 co
bf820 bf822.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF820; BF822NPN high-voltage transistorsProduct data sheet 2004 Jan 16Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistors BF820; BF822FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony and profe
Другие транзисторы... BF789 , BF790 , BF791 , BF792 , BF799 , BF819 , BF819A , BF820 , BC639 , BF821 , BF821S , BF822 , BF822S , BF823 , BF823S , BF824 , BF840 .
History: MJ2865 | KTC4075-O



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50