BF820S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF820S  📄📄 

Маркировка: 1V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.335 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF820S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF820S даташит

 9.1. Size:107K  philips
bf820w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D102 BF820W NPN high-voltage transistor Product data sheet 2003 Sep 09 Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor BF820W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profess

 9.2. Size:46K  philips
bf820w bf822w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt

 9.3. Size:47K  philips
bf820 bf822 3.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co

 9.4. Size:99K  philips
bf820 bf822.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820; BF822 NPN high-voltage transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profe

Другие транзисторы: BF789, BF790, BF791, BF792, BF799, BF819, BF819A, BF820, BC556, BF821, BF821S, BF822, BF822S, BF823, BF823S, BF824, BF840