BF820S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BF820S 📄📄
Маркировка: 1V
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.335 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BF820S
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BF820S даташит
bf820w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D102 BF820W NPN high-voltage transistor Product data sheet 2003 Sep 09 Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor BF820W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profess
bf820w bf822w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt
bf820 bf822 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co
bf820 bf822.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820; BF822 NPN high-voltage transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profe
Другие транзисторы: BF789, BF790, BF791, BF792, BF799, BF819, BF819A, BF820, BC556, BF821, BF821S, BF822, BF822S, BF823, BF823S, BF824, BF840
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50









