Справочник транзисторов. BF820S

 

Биполярный транзистор BF820S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BF820S
   Маркировка: 1V
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.335 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BF820S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF820S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:107K  philips
bf820w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETgeM3D102BF820WNPN high-voltage transistorProduct data sheet 2003 Sep 09Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistor BF820WFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony and profess

 9.2. Size:46K  philips
bf820w bf822w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF820W; BF822WNPN high-voltage transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 19File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF820W; BF822WFEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitt

 9.3. Size:47K  philips
bf820 bf822 3.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BF820; BF822NPN high-voltage transistors1999 Apr 15Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF820; BF822FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 co

 9.4. Size:99K  philips
bf820 bf822.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF820; BF822NPN high-voltage transistorsProduct data sheet 2004 Jan 16Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheetNPN high-voltage transistors BF820; BF822FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Telephony and profe

Другие транзисторы... BF789 , BF790 , BF791 , BF792 , BF799 , BF819 , BF819A , BF820 , BC639 , BF821 , BF821S , BF822 , BF822S , BF823 , BF823S , BF824 , BF840 .

History: MJ2865 | KTC4075-O

 

 
Back to Top

 


 
.