BF820S - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BF820S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF820S
   Маркировка: 1V
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.335 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BF820S

 

BF820S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:107K  philips
bf820w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D102 BF820W NPN high-voltage transistor Product data sheet 2003 Sep 09 Supersedes data of 1997 Sep 03 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistor BF820W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profess

 9.2. Size:46K  philips
bf820w bf822w.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820W; BF822W NPN high-voltage transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 19 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820W; BF822W FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitt

 9.3. Size:47K  philips
bf820 bf822 3.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BF820; BF822 NPN high-voltage transistors 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 23 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 co

 9.4. Size:99K  philips
bf820 bf822.pdfpdf_icon

BF820S

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF820; BF822 NPN high-voltage transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN high-voltage transistors BF820; BF822 FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA) PIN DESCRIPTION High voltage (max. 300 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Telephony and profe

Другие транзисторы... BF789 , BF790 , BF791 , BF792 , BF799 , BF819 , BF819A , BF820 , BC556 , BF821 , BF821S , BF822 , BF822S , BF823 , BF823S , BF824 , BF840 .

History: BDX25 | AU107 | AC194K7 | NB121EJ | K2102 | 2SC4807 | BC33716TA

 

 
Back to Top

 


 
.