BF824 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BF824 📄📄
Маркировка: F8_F8p_F8t_F8W
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 450 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BF824
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BF824 даташит
bf824.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF824 PNP medium frequency transistor Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet PNP medium frequency transistor BF824 FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector RF stages in FM front-ends in
bf824 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 BF824 PNP medium frequency transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 08 Philips Semiconductors Product specification PNP medium frequency transistor BF824 FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector
bf824.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bf824w.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D102 BF824W PNP medium frequency transistor 1999 Apr 15 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 07 Philips Semiconductors Product specification PNP medium frequency transistor BF824W FEATURES PINNING Low current (max. 25 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector
Другие транзисторы: BF820, BF820S, BF821, BF821S, BF822, BF822S, BF823, BF823S, MPSA42, BF840, BF841, BF844, BF845, BF847, BF848, BF850, BF857
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BDX53D | BUT21AF | 2SA2088 | MMUN2115LT1G | RN2107FS | UMZ1M | KRA762E
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934




