BF844 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF844  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF844

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF844 даташит

 0.1. Size:152K  motorola
 bf844rev.pdf pdf_icon

BF844

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BF844/D High Voltage Transistor NPN Silicon BF844 COLLECTOR 3 2 BASE 1 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 3 Rating Symbol Value Unit CASE 29 04, STYLE 1 Collector Emitter Voltage VCEO 400 Vdc TO 92 (TO 226AA) Collector Base Voltage VCBO 450 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current Continu

Другие транзисторы: BF821S, BF822, BF822S, BF823, BF823S, BF824, BF840, BF841, S9018, BF845, BF847, BF848, BF850, BF857, BF857A, BF857BA, BF857EA