BF850 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF850  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BF850

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BF850 даташит

 0.1. Size:182K  infineon
 bc846a bc846b bc846bw bc847a bc847b bc847bf bc847bl3 bc847bt bc847bw bc847c bc847cw bc848a bc848aw bc848b bc848bf bc848bl3 bc848bw bc848c bc848cw bc849b bc849bf bc849c bc849cw bc850b bf850bf bc850bw bc850c.pdf pdf_icon

BF850

Другие транзисторы: BF823S, BF824, BF840, BF841, BF844, BF845, BF847, BF848, BD136, BF857, BF857A, BF857BA, BF857EA, BF858, BF858A, BF858EA, BF859