BF857BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BF857BA
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO252
BF857BA Datasheet (PDF)
bf857 bf858 bf859.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version
Другие транзисторы... BF841 , BF844 , BF845 , BF847 , BF848 , BF850 , BF857 , BF857A , A42 , BF857EA , BF858 , BF858A , BF858EA , BF859 , BF859A , BF859BA , BF859EA .
History: 2SA813 | CHDTC124TKGP | BU361 | DNLS160V
History: 2SA813 | CHDTC124TKGP | BU361 | DNLS160V
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706


