BFG16A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG16A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BFG16A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG16A даташит

 ..1. Size:53K  philips
 bfg16a.pdf pdf_icon

BFG16A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG16A NPN 2 GHz wideband transistor 1995 Sep 12 Product specification Supersedes data of November 1992 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz wideband transistor BFG16A FEATURES PINNING fpage 4 High power gain PIN DESCRIPTION Good thermal stability 1 emitter Gold metallizat

Другие транзисторы: BFE193, BFE196, BFE214, BFE215, BFF576, BFF576TO5, BFG134, BFG135, NJW0281G, BFG17, BFG17A, BFG193, BFG194, BFG195, BFG196, BFG197, BFG197X