Биполярный транзистор BFG16A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFG16A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1500 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT223
BFG16A Datasheet (PDF)
..1. Size:53K philips
bfg16a.pdf
bfg16a.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG16ANPN 2 GHz wideband transistor1995 Sep 12Product specificationSupersedes data of November 1992File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz wideband transistor BFG16AFEATURES PINNINGfpage4 High power gainPIN DESCRIPTION Good thermal stability1 emitter Gold metallizat
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050