Справочник транзисторов. BFG17

 

Биполярный транзистор BFG17 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFG17
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2800 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для BFG17

 

 

BFG17 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
bfg17.pdf

BFG17 BFG17

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG17ANPN 3 GHz wideband transistor1995 Sep 12Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 3 GHz wideband transistor BFG17ADESCRIPTION PINNINGNPN wideband transistor in aPIN DESCRIPTIONmicrominiature plastic SOT143handbook, 2 columns43Code: E6surface mounting envelop

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top