BFG17. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG17

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для BFG17

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG17 даташит

 ..1. Size:60K  philips
 bfg17.pdf pdf_icon

BFG17

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG17A NPN 3 GHz wideband transistor 1995 Sep 12 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 3 GHz wideband transistor BFG17A DESCRIPTION PINNING NPN wideband transistor in a PIN DESCRIPTION microminiature plastic SOT143 handbook, 2 columns 43 Code E6 surface mounting envelop

Другие транзисторы: BFE196, BFE214, BFE215, BFF576, BFF576TO5, BFG134, BFG135, BFG16A, D965, BFG17A, BFG193, BFG194, BFG195, BFG196, BFG197, BFG197X, BFG198