Справочник транзисторов. BFG67

 

Биполярный транзистор BFG67 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG67
   Маркировка: V3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO251
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFG67 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  philips
bfg67 bfg67x bfg67xr 4.pdfpdf_icon

BFG67

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG67; BFG67/X; BFG67/XRNPN 8 GHz wideband transistors1998 Oct 02Product specificationSupersedes data of September 1995Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistors BFG67; BFG67/X; BFG67/XRFEATURES PINNING High power gainDESCRIPTIONPIN Low noise figureBFG67 BFG67/X BFG67/XR High transition freq

 ..2. Size:287K  philips
bfg67 x xr n.pdfpdf_icon

BFG67

BFG67; BFG67/X; BFG67/XRNPN 8 GHz wideband transistorsRev. 05 23 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links

 ..3. Size:1712K  kexin
bfg67.pdfpdf_icon

BFG67

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFG67 (KFG67)SOT-143 Unit:mm2.900.1 1.300.1X Features Collector Current Capability IC=50mA0~0.1 Collector Emitter Voltage VCEO=10V2.300.21.90 (Typ) 0.48 (max) High power gain0.38 (min) 4 3 Low noise figure High transition frequency1 20.45 (max) 0.88 (max) 0.15 (min) detail X1.70 (Typ)

 0.1. Size:102K  philips
bfg67w bfg67wx bfg67wxr 2.pdfpdf_icon

BFG67

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG67WBFG67W/X; BFG67W/XRNPN 8 GHz wideband transistorAugust 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationBFG67WNPN 8 GHz wideband transistorBFG67W/X; BFG67W/XRFEATURES MARKING High power gainTYPE NUMBER CODE Low noise figureBFG67W V2f

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SC390D | Q-00369C | KT8143M | KSC900G | BF883 | NSVMMBT5087LT3G | BSW88B

 

 
Back to Top

 


 
.