BFN20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFN20  📄📄 

Маркировка: DC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFN20

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFN20 даташит

 ..1. Size:128K  siemens
 bfn20.pdf pdf_icon

BFN20

NPN Silicon High-Voltage Transistor BFN 20 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary type BFN 21 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 20 DC Q62702-F1058 B C E SOT-89 Maximum Ratings Parameter Symbol Values

Другие транзисторы: BFJ79, BFJ92, BFJ93, BFJ98, BFN16, BFN17, BFN18, BFN19, MJE340, BFN21, BFN22, BFN22R, BFN23, BFN23R, BFN24, BFN25, BFN26