BFP181T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFP181T
Маркировка: 18
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT143
Аналоги (замена) для BFP181T
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFP181T даташит
bfp181w.pdf
BFP 181W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA fT = 8GHz F = 1.45dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 181W RFs Q62702-F1501 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343 Maximum Ratings Parameter Symbol Valu
bfp181.pdf
BFP 181 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA fT = 8GHz F = 1.45dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 181 RFs Q62702-F1271 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values
bfp181r.pdf
BFP 181R NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5mA to 12mA fT = 8GHz F = 1.45dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 181R RFs Q62702-F1685 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-143R Maximum Ratings Parameter Symbol Val
bfp181.pdf
BFP181 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at 3 collector currents from 0.5 mA to 12 mA 2 4 1 fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Config
Другие транзисторы: BFP10, BFP11, BFP12, BFP13, BFP14, BFP17, BFP180, BFP181, A1013, BFP182, BFP182T, BFP183, BFP183T, BFP193, BFP194, BFP194W, BFP22
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent




