BFP520VI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFP520VI

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

 Аналоги (замена) для BFP520VI

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP520VI даташит

 8.1. Size:48K  siemens
 bfp520.pdf pdf_icon

BFP520VI

SIEGET 45 BFP 520 NPN Silicon RF Transistor Preliminary data 3 For highest gain low noise amplifier 4 at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V Outstanding Ga = 20 dB Noise Figure F = 0.95 dB For oscillators up to 15 GHz 2 Transition frequency fT = 45 GHz 1 VPS05605 Gold metalization for high reliability SIEGET 45 - Line Siemens Grounded Emitter Transistor 45 GHz

 8.2. Size:224K  infineon
 bfp520f.pdf pdf_icon

BFP520VI

BFP520F Low profile high gain silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP520F is a low noise device based on a grounded emitter (SIEGET ) that is part of Infineon s established fifth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 45 GHz, high gain and low noise make the device suitable for applications up to 15 GHz. It remains cost competitiv

Другие транзисторы: BFP519, BFP519II, BFP519III, BFP519V, BFP519VI, BFP520, BFP520II, BFP520V, MPSA42, BFP521, BFP521I, BFP521II, BFP521III, BFP521IV, BFP521V, BFP619, BFP620