BFQ17. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ17

Маркировка: FA_FD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BFQ17

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ17 даташит

 ..1. Size:31K  philips
 bfq17 cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ17

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ17 NPN 1 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFQ17 DESCRIPTION PINNING NPN transistor in a SOT89 plastic PIN DESCRIPTION envelope intended for application in Code FA thick and thin-film circuits. The p

Другие транзисторы: BFP96, BFQ134, BFQ135, BFQ136, BFQ149, BFQ161, BFQ162, BFQ163, TIP122, BFQ17P, BFQ18, BFQ181, BFQ182, BFQ18A, BFQ19, BFQ193, BFQ194