BFQ27. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ27

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: MM17

 Аналоги (замена) для BFQ27

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ27 даташит

 0.1. Size:102K  philips
 bfq270 cnv 3.pdf pdf_icon

BFQ27

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ270 NPN 6 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 6 GHz wideband transistor BFQ270 FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Emitter-ballasting resistors for 1 collector page good thermal stability 4 2 emitter G

Другие транзисторы: BFQ255A, BFQ262, BFQ262A, BFQ263, BFQ263A, BFQ265, BFQ265A, BFQ268, TIP42, BFQ270, BFQ28, BFQ29, BFQ29P, BFQ29R, BFQ30, BFQ31, BFQ31A