BFQ32S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ32S

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO50

 Аналоги (замена) для BFQ32S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ32S даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BFQ30, BFQ31, BFQ31A, BFQ31AR, BFQ31R, BFQ32, BFQ32C, BFQ32M, D965, BFQ33, BFQ33C, BFQ34, BFQ34T, BFQ35, BFQ36, BFQ37, BFQ38