BFQ34. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ34

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3700 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO50

 Аналоги (замена) для BFQ34

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ34 даташит

 ..1. Size:60K  philips
 bfq34 cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ34

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ34 NPN 4 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 4 GHz wideband transistor BFQ34 DESCRIPTION PINNING NPN transistor encapsulated in a 4 PIN DESCRIPTION lead SOT122A envelope with a Code BFQ34/01 ceramic cap. All leads are isolated

Другие транзисторы: BFQ31AR, BFQ31R, BFQ32, BFQ32C, BFQ32M, BFQ32S, BFQ33, BFQ33C, BC549, BFQ34T, BFQ35, BFQ36, BFQ37, BFQ38, BFQ38S, BFQ39, BFQ40