Справочник транзисторов. BFQ34T

 

Биполярный транзистор BFQ34T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFQ34T
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3700 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO50
 

 Аналог (замена) для BFQ34T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ34T Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  philips
 bfq34 cnv 2.pdf pdf_icon

BFQ34T

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFQ34NPN 4 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 4 GHz wideband transistor BFQ34DESCRIPTION PINNINGNPN transistor encapsulated in a 4PIN DESCRIPTIONlead SOT122A envelope with aCode: BFQ34/01ceramic cap. All leads are isolated

Другие транзисторы... BFQ31R , BFQ32 , BFQ32C , BFQ32M , BFQ32S , BFQ33 , BFQ33C , BFQ34 , D882P , BFQ35 , BFQ36 , BFQ37 , BFQ38 , BFQ38S , BFQ39 , BFQ40 , BFQ41 .

History: BCW68GL | MJ3584

 

 
Back to Top

 


 
.