Биполярный транзистор BFQ67 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFQ67
Маркировка: V2_V2p
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
BFQ67 Datasheet (PDF)
bfq67 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BFQ67NPN 8 GHz wideband transistor1998 Aug 27Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in aalfpage 3plastic SO
bfq67.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETbook, halfpageM3D088BFQ67NPN 8 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Aug 27Supersedes data of September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3plastic SOT23 package. Low noise figure High
bfq67.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFQ67 (KFQ67)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=50mA Collector Emitter Voltage VCEO=10V 1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 High power gain+0.11.9-0.1 Low noise figure High transition frequency1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta
bfq67t 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173BFQ67TNPN 8 GHz wideband transistorProduct specification 2000 Mar 06Supersedes data of 1999 Nov 02Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67TFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a plastic SOT416(SC-75) package. Low noise figure3fpage High transition frequencyPI
bfq67w cnv 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFQ67WNPN 8 GHz wideband transistorSeptember 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67WFEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION Low noise figureCode: V2 High transition frequency1 basehandbook, 2 columns3
bfq67w cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFQ67WNPN 8 GHz wideband transistorProduct specification September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67WFEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION Low noise figureCode: V2 High transition frequency31 base handbook, 2 columns Gold metallization ensures 2 emitterexcell
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050