BFQ67. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ67

Маркировка: V2_V2p

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFQ67

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ67 даташит

 ..1. Size:85K  philips
 bfq67 4.pdf pdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor 1998 Aug 27 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67 FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3 plastic SO

 ..2. Size:248K  philips
 bfq67.pdf pdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor Product specification 1998 Aug 27 Supersedes data of September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67 FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3 plastic SOT23 package. Low noise figure High

 ..3. Size:1451K  kexin
 bfq67.pdf pdf_icon

BFQ67

SMD Type Transistors NPN Transistors BFQ67 (KFQ67) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=50mA Collector Emitter Voltage VCEO=10V 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 High power gain +0.1 1.9-0.1 Low noise figure High transition frequency 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta

 0.1. Size:98K  philips
 bfq67t 2.pdf pdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFQ67T NPN 8 GHz wideband transistor Product specification 2000 Mar 06 Supersedes data of 1999 Nov 02 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67T FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 fpage High transition frequency PI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFQ61, BFQ62, BFQ63, BFQ64, BFQ645, BFQ64P, BFQ65, BFQ66, C945, BFQ67W, BFQ68, BFQ69, BFQ70, BFQ71, BFQ72, BFQ73, BFQ73S