Справочник транзисторов. BFQ67

 

Биполярный транзистор BFQ67 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFQ67
   Маркировка: V2_V2p
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ67 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  philips
bfq67 4.pdfpdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BFQ67NPN 8 GHz wideband transistor1998 Aug 27Product specificationSupersedes data of September 1995File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in aalfpage 3plastic SO

 ..2. Size:248K  philips
bfq67.pdfpdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETbook, halfpageM3D088BFQ67NPN 8 GHz wideband transistorProduct specification 1998 Aug 27Supersedes data of September 1995NXP Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3plastic SOT23 package. Low noise figure High

 ..3. Size:1451K  kexin
bfq67.pdfpdf_icon

BFQ67

SMD Type TransistorsNPN TransistorsBFQ67 (KFQ67)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=50mA Collector Emitter Voltage VCEO=10V 1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 High power gain+0.11.9-0.1 Low noise figure High transition frequency1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta

 0.1. Size:98K  philips
bfq67t 2.pdfpdf_icon

BFQ67

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173BFQ67TNPN 8 GHz wideband transistorProduct specification 2000 Mar 06Supersedes data of 1999 Nov 02Philips Semiconductors Product specificationNPN 8 GHz wideband transistor BFQ67TFEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a plastic SOT416(SC-75) package. Low noise figure3fpage High transition frequencyPI

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BD402 | BFR71 | MRF342 | 40968 | MRF9411BLT3 | 41501

 

 
Back to Top

 


 
.