BFQ67W. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFQ67W
Маркировка: V2_WV2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BFQ67W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BFQ67W даташит
bfq67w cnv 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ67W NPN 8 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code V2 High transition frequency 1 base handbook, 2 columns 3
bfq67w cnv.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ67W NPN 8 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code V2 High transition frequency 3 1 base handbook, 2 columns Gold metallization ensures 2 emitter excell
bfq67t 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFQ67T NPN 8 GHz wideband transistor Product specification 2000 Mar 06 Supersedes data of 1999 Nov 02 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67T FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 fpage High transition frequency PI
bfq67 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor 1998 Aug 27 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67 FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3 plastic SO
Другие транзисторы: BFQ62, BFQ63, BFQ64, BFQ645, BFQ64P, BFQ65, BFQ66, BFQ67, C1815, BFQ68, BFQ69, BFQ70, BFQ71, BFQ72, BFQ73, BFQ73S, BFQ74
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291






