BFQ67W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFQ67W

Маркировка: V2_WV2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFQ67W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ67W даташит

 ..1. Size:79K  philips
bfq67w cnv 3.pdfpdf_icon

BFQ67W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ67W NPN 8 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code V2 High transition frequency 1 base handbook, 2 columns 3

 ..2. Size:250K  philips
bfq67w cnv.pdfpdf_icon

BFQ67W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFQ67W NPN 8 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67W FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION Low noise figure Code V2 High transition frequency 3 1 base handbook, 2 columns Gold metallization ensures 2 emitter excell

 9.1. Size:98K  philips
bfq67t 2.pdfpdf_icon

BFQ67W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 BFQ67T NPN 8 GHz wideband transistor Product specification 2000 Mar 06 Supersedes data of 1999 Nov 02 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67T FEATURES DESCRIPTION High power gain NPN transistor in a plastic SOT416 (SC-75) package. Low noise figure 3 fpage High transition frequency PI

 9.2. Size:85K  philips
bfq67 4.pdfpdf_icon

BFQ67W

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BFQ67 NPN 8 GHz wideband transistor 1998 Aug 27 Product specification Supersedes data of September 1995 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 8 GHz wideband transistor BFQ67 FEATURES DESCRIPTION High power gain Silicon NPN wideband transistor in a alfpage 3 plastic SO

Другие транзисторы: BFQ62, BFQ63, BFQ64, BFQ645, BFQ64P, BFQ65, BFQ66, BFQ67, C1815, BFQ68, BFQ69, BFQ70, BFQ71, BFQ72, BFQ73, BFQ73S, BFQ74