BFR181T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFR181T

Маркировка: RF_RFs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFR181T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR181T даташит

 8.1. Size:57K  siemens
 bfr181.pdf pdf_icon

BFR181T

BFR 181 NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA fT = 8GHz F = 1.45dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 181 RFs Q62702-F1314 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit

 8.2. Size:56K  siemens
 bfr181w.pdf pdf_icon

BFR181T

BFR 181W NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA fT = 8GHz F = 1.45dB at 900MHz ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 181W RFs Q62702-F1491 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Un

 8.3. Size:613K  infineon
 bfr181.pdf pdf_icon

BFR181T

BFR181 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Pack

 8.4. Size:666K  infineon
 bfr181w.pdf pdf_icon

BFR181T

BFR181W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA 3 2 1 fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Easy to use Pb-free (RoHS compliant) and halogen free industry standard package with visible leads Qualification report according to AEC-Q101 available ESD (Electrostatic discharge) sensit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFR15A, BFR16, BFR17, BFR17R, BFR18, BFR180, BFR180W, BFR181, TIP127, BFR181W, BFR182, BFR182T, BFR182W, BFR183, BFR183T, BFR183W, BFR18R