Биполярный транзистор BFR183T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFR183T
Маркировка: RH_RHs
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.065 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
BFR183T Datasheet (PDF)
bfr183w.pdf
BFR 183WNPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA fT = 8 GHz F = 1.2 dB at 900 MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 183W RHs Q62702-F1493 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values Uni
bfr183.pdf
BFR 183NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA fT = 8 GHz F = 1.2 dB at 900 MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFR 183 RHs Q62702-F1316 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values Unit
bfr183.pdf
BFR183Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101 availableESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Pin Configuration Packag
bfr183w.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFR183WDESCRIPTIONHigh Power GainHigh Current Gain Bandwidth ProductLow Noise FigureMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for RF frontend in wideband applications in theGHz range,such as analog and digital cellular telephones,cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.).ABSOL
bfr183.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor BFR183DESCRIPTIONHigh Power GainHigh Current Gain Bandwidth ProductLow Noise FigureMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for RF frontend in wideband applications in theGHz range,such as analog and digital cellular telephones,cordless telephones(CT1, CT2,DEC, etc.).ABSOLU
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050